- 제조공정(주조, 단조, 열처리, 가공)에 따른 공정 결함 분석
- 제품 사용 전/후 결함분석
- 미세조직 관찰 및 성분분석(EDS)
- 상 분석(EBSD)
- 연구개발 적용
주요사양
- Electron Source : Schottky field emitter
- Resolution : 1.2 nm at 15kV, 2.2 nm at 1kV(20 nA configuration)
- Accelerating voltage : 0.02 to 30kV
- Beam current : 100 nA
- Probe current : 4 pA-20 nA
- Work distance : 0.1-50mm
- Magnification : 10-1,000,000x
- 추가장치1 : Energy Dispersive X-ray Specrtomenter(EDS)
- 추가장치2 : Electron Backscatter Diffractoin(EBSD)
